SI7664DP-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI7664DP-T1-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI7664DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

PowerPAK® SO-8
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 20A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

5.4W (Ta), 83W (Tc)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

PowerPAK® SO-8
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

7770pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

125nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

30V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 30V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI7664DP-T1-GE3.

SI7686DP-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7661DJ

Περιγραφή: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Κατασκευαστές: Maxim Integrated

Σε απόθεμα

RFQ

SI7661ESA+T

Περιγραφή: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Κατασκευαστές: Maxim Integrated

Σε απόθεμα

RFQ

SI7661ESA+

Περιγραφή: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Κατασκευαστές: Maxim Integrated

Σε απόθεμα

RFQ

SI7674DP-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7664DP-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7661CSA+T

Περιγραφή: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Κατασκευαστές: Maxim Integrated

Σε απόθεμα

RFQ

SI7655ADN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7661CSA+

Περιγραφή: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Κατασκευαστές: Maxim Integrated

Σε απόθεμα

RFQ

SI7668ADP-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7658ADP-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7682DP-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7674DP-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7703EDN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7655DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7686DP-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7703EDN-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7682DP-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7668ADP-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI7661CJ+

Περιγραφή: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Κατασκευαστές: Maxim Integrated

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SI7664DP-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

Η κάρτα γραφικών NVIDIA RTX 5090 διαθέτ...

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

SI7686DP-T1-E3

SI7661DJ

SI7661ESA+T

SI7661ESA+

SI7674DP-T1-E3

SI7664DP-T1-E3

SI7661CSA+T

SI7655ADN-T1-GE3

SI7661CSA+

SI7668ADP-T1-GE3

SI7658ADP-T1-GE3

SI7682DP-T1-E3

SI7674DP-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3

SI7703EDN-T1-E3

SI7682DP-T1-GE3

SI7668ADP-T1-E3

SI7661CJ+

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα