Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI8851EDB-T2-E1

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

5930518

SI8851EDB-T2-E1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

3000+

$0.263

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI8851EDB-T2-E1
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI8851EDB-T2-E1.pdf
Μοντέλο ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

Power Micro Foot® (2.4x2)
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 7A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)

660mW (Ta)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

30-XFBGA
Αλλα ονόματα

SI8851EDB-T2-E1TR
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

180nC @ 8V
FET Τύπος

P-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

20V
Λεπτομερής περιγραφή

P-Channel 20V 7.7A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount Power Micro Foot® (2.4x2)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

7.7A (Ta)
Αριθμός μέρους βάσης

SI8851

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI8851EDB-T2-E1.

SI88620ED-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88443EC-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88441EC-ISR

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88620EC-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88444EC-ISR

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88440EC-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88444EC-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88620BC-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88442EC-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88621BD-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88441EC-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88443EC-ISR

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88620EC-ISR

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88620BD-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88621BC-ISR

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88621EC-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88442EC-ISR

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88620BC-ISR

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88440EC-ISR

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

SI88621BC-IS

Περιγραφή: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Νέα Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.