SIHB22N60ET1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

$4.25

10+

$3.79

100+

$3.108

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SIHB22N60ET1-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
Φύλλα δεδομένων

SIHB22N60ET1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

TO-263 (D²Pak)
Σειρά

E
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 11A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

227W (Tc)
Συσκευασία

Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Αλλα ονόματα

SIHB22N60ET1-GE3CT
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

1920pF @ 100V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

86nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

600V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SIHB22N60ET1-GE3.

SIHB23N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB22N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB16N50C-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB24N65ET1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB22N60S-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB22N60AEL-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 600V

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB22N60ET5-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB22N60EL-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB24N65E-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB24N65EF-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB18N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB22N60E-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB20N50E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB22N65E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB21N65EF-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB22N60AE-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB22N65E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Κατασκευαστές: Vishay Siliconix

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB21N60EF-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB24N65E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB22N60S-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Κατασκευαστές: Vishay Siliconix

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SIHB22N60ET1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

SIHB23N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

SIHB16N50C-E3

SIHB24N65ET1-GE3

SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60EL-GE3

SIHB24N65E-E3

SIHB24N65EF-GE3

SIHB18N60E-GE3

SIHB22N60E-E3

SIHB20N50E-GE3

SIHB22N65E-GE3

SIHB21N65EF-GE3

SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N65E-GE3

SIHB21N60EF-GE3

SIHB24N65E-GE3

SIHB22N60S-E3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα