4207698

SISS12DN-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

$1.40

10+

$1.239

100+

$0.979

500+

$0.76

1000+

$0.60

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SISS12DN-T1-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SISS12DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

PowerPAK® 1212-8S
Σειρά

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.98 mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

5W (Ta), 65.7W (Tc)
Συσκευασία

Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση

PowerPAK® 1212-8S
Αλλα ονόματα

SISS12DN-T1-GE3CT
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

4270pF @ 20V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

89nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

40V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 40V 37.5A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

37.5A (Ta), 60A (Tc)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SISS12DN-T1-GE3.

SISS40DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS23DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS27DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS02DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS67DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISH434DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISNAP915EK

Περιγραφή: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SISH129DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS10DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISH617DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS65DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISH410DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS04DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS26DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISH402DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISNAP915DK

Περιγραφή: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SISS42DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS27ADN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS28DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SISS64DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SISS12DN-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

Η κάρτα γραφικών NVIDIA RTX 5090 διαθέτ...

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

SISS40DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

SISNAP915EK

SISH129DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

SISNAP915DK

SISS42DN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα