Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SISS27ADN-T1-GE3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
38550SISS27ADN-T1-GE3 ΕικόναElectro-Films (EFI) / Vishay

SISS27ADN-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$1.13
10+
$0.991
100+
$0.764
500+
$0.566
1000+
$0.453
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SISS27ADN-T1-GE3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Σειρά
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.1 mOhm @ 15A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    57W (Tc)
  • Συσκευασία
    Original-Reel®
  • Συσκευασία / υπόθεση
    PowerPAK® 1212-8S
  • Αλλα ονόματα
    SISS27ADN-T1-GE3DKR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    4660pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    55nC @ 4.5V
  • FET Τύπος
    P-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    P-Channel 30V 50A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)
SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Περιγραφή: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 125V

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Περιγραφή: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο