Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > US1JHE3_A/H
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
5326645US1JHE3_A/H ΕικόναElectro-Films (EFI) / Vishay

US1JHE3_A/H

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1800+
$0.137
3600+
$0.125
5400+
$0.118
12600+
$0.11
45000+
$0.101
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    US1JHE3_A/H
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    1.US1JHE3_A/H.pdf
    2.US1JHE3_A/H.pdf
  • Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
    1.7V @ 1A
  • Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
    600V
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    DO-214AC (SMA)
  • Ταχύτητα
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Σειρά
    Automotive, AEC-Q101
  • Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
    75ns
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    DO-214AC, SMA
  • Αλλα ονόματα
    US1JHE3_A/HGITR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
    -55°C ~ 150°C
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Τύπος
    Standard
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
    10µA @ 600V
  • Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
    1A
  • Χωρητικότητα @ VR, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Αριθμός μέρους βάσης
    US1J

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

2024/11/23

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

2024/11/22

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

2024/11/15

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

2024/11/14

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

2024/11/13
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το US1JHE3_A/H.
US1K-M3/5AT

US1K-M3/5AT

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Περιγραφή: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
US1JHM2G

US1JHM2G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
US1K-13-F

US1K-13-F

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
US1JHR3G

US1JHR3G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
US1JFA

US1JFA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
US1K M2G

US1K M2G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
US1K-E3/5AT

US1K-E3/5AT

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1J/1

US1J/1

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Vishay Semiconductor Diodes Division
Σε απόθεμα
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1K-13

US1K-13

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
US1K R3G

US1K R3G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
US1K-E3/61T

US1K-E3/61T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.