Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > 1N8031-GA
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
42381181N8031-GA ΕικόναGeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
10+
$172.134
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    1N8031-GA
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    GeneSiC Semiconductor
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
  • Φύλλα δεδομένων
    1N8031-GA.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - Peak Reverse (Max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
    1A
  • Τάσης - Ανάλυση
    TO-276
  • Σειρά
    -
  • Κατάσταση RoHS
    Tube
  • Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Αντίσταση @ Αν, F
    76pF @ 1V, 1MHz
  • Πόλωση
    TO-276AA
  • Άλλα ονόματα
    1242-1118
    1N8031GA
  • Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
    0ns
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    18 Weeks
  • Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή
    1N8031-GA
  • Διευρυμένη περιγραφή
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276
  • Διαμόρφωση δίοδος
    5µA @ 650V
  • Περιγραφή
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
    1.5V @ 1A
  • Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode)
    650V
  • Χωρητικότητα @ VR, F
    -55°C ~ 250°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το 1N8031-GA.
1N8033-GA

1N8033-GA

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N8032-GA

1N8032-GA

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N821UR-1

1N821UR-1

Περιγραφή: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N8024-GA

1N8024-GA

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Περιγραφή: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Περιγραφή: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N8182

1N8182

Περιγραφή: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

Περιγραφή: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N8149

1N8149

Περιγραφή: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N8030-GA

1N8030-GA

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N821

1N821

Περιγραφή: DIODE ZENER DO35

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N8165US

1N8165US

Περιγραφή: TVS DIODE 33V 53.6V

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N822

1N822

Περιγραφή: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N821-1

1N821-1

Περιγραφή: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N821A

1N821A

Περιγραφή: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
1N8026-GA

1N8026-GA

Περιγραφή: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Περιγραφή: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.