Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > GA03JT12-247
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
797996GA03JT12-247 ΕικόναGeneSiC Semiconductor

GA03JT12-247

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    GA03JT12-247
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    GeneSiC Semiconductor
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    GA03JT12-247.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Τεχνολογία
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-247AB
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    460 mOhm @ 3A
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    15W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-247-3
  • Αλλα ονόματα
    1242-1164
    GA03JT12247
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET Τύπος
    -
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    -
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    1200V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    1200V 3A (Tc) (95°C) 15W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc) (95°C)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το GA03JT12-247.
GA0402A100JXBAC31G

GA0402A100JXBAC31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA01PNS150-220

GA01PNS150-220

Περιγραφή: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100GXAAC31G

GA0402A100GXAAC31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100GXXAC31G

GA0402A100GXXAC31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100JXAAP31G

GA0402A100JXAAP31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100JXXAC31G

GA0402A100JXXAC31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA03IDDJT30-FR4

GA03IDDJT30-FR4

Περιγραφή: BOARD GATE DRIVER

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100FXBAP31G

GA0402A100FXBAP31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100KXAAC31G

GA0402A100KXAAC31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100JXXAP31G

GA0402A100JXXAP31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100FXAAP31G

GA0402A100FXAAP31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100FXXAP31G

GA0402A100FXXAP31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100JXBAP31G

GA0402A100JXBAP31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

Περιγραφή: DIODE SILICON CARBIDE 8KV

Κατασκευαστές: GeneSiC Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
GA0381M

GA0381M

Περιγραφή: SPEAKER 8OHM 200MW TOP PORT 79DB

Κατασκευαστές: CUI, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100GXAAP31G

GA0402A100GXAAP31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100GXBAP31G

GA0402A100GXBAP31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100GXXAP31G

GA0402A100GXXAP31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100GXBAC31G

GA0402A100GXBAC31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
GA0402A100JXAAC31G

GA0402A100JXAAC31G

Περιγραφή: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.