Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > GP1M007A090H
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
2113413GP1M007A090H ΕικόναGlobal Power Technologies Group

GP1M007A090H

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    GP1M007A090H
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    SemiQ
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 900V 7A TO220
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    GP1M007A090H.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-220
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    250W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-220-3
  • Αλλα ονόματα
    1560-1165-1
    1560-1165-1-ND
    1560-1165-5
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1969pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    49nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    900V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 900V 7A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το GP1M007A090H.
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M005A050PH

GP1M005A050PH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M006A065FH

GP1M006A065FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M006A070FH

GP1M006A070FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M006A065F

GP1M006A065F

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M006A070F

GP1M006A070F

Περιγραφή: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.