Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > GP1M020A060M
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
6374027GP1M020A060M ΕικόναGlobal Power Technologies Group

GP1M020A060M

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    GP1M020A060M
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    SemiQ
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    GP1M020A060M.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-3P
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 10A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    347W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    2097pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    76nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    600V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το GP1M020A060M.
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

Περιγραφή: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M016A060N

GP1M016A060N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M016A060F

GP1M016A060F

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1S094HCZ0F

GP1S094HCZ0F

Περιγραφή: SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU

Κατασκευαστές: Socle Technology Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1S094HCZ

GP1S094HCZ

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M023A050N

GP1M023A050N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

Περιγραφή: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS SMD

Κατασκευαστές: Socle Technology Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1S096HCZ

GP1S096HCZ

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP1S093HCZ

GP1S093HCZ

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M016A060H

GP1M016A060H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

Περιγραφή: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU

Κατασκευαστές: Socle Technology Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M020A050N

GP1M020A050N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M020A060N

GP1M020A060N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.