Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > GPA025A120MN-ND
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
1835937GPA025A120MN-ND ΕικόναGlobal Power Technologies Group

GPA025A120MN-ND

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
2500+
$1.729
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    GPA025A120MN-ND
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    SemiQ
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    GPA025A120MN-ND.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 25A
  • Test Condition
    600V, 25A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) στους 25 ° C
    57ns/240ns
  • εναλλαγή Ενέργειας
    4.15mJ (on), 870µJ (off)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-3PN
  • Σειρά
    -
  • Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
    480ns
  • Ισχύς - Max
    312W
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-3
  • Αλλα ονόματα
    1560-1218-1
    1560-1218-1-ND
    1560-1218-5
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Τύπος εισόδου
    Standard
  • IGBT Τύπος
    NPT and Trench
  • πύλη Χρέωση
    350nC
  • Λεπτομερής περιγραφή
    IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3PN
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM)
    75A
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max)
    50A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το GPA025A120MN-ND.
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Περιγραφή: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Περιγραφή: DIODE GPP 8A D2PAK

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Περιγραφή: DIODE GPP 8A TO220AC

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Περιγραφή: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Κατασκευαστές: Bergquist
Σε απόθεμα
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Περιγραφή: DIODE GPP 8A TO220AC

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Περιγραφή: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Περιγραφή: DIODE GPP 8A D2PAK

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Περιγραφή: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Περιγραφή: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Περιγραφή: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Περιγραφή: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Περιγραφή: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

Περιγραφή: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Περιγραφή: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Περιγραφή: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Περιγραφή: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.