Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFN210N20P
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
2620207IXFN210N20P ΕικόναIXYS Corporation

IXFN210N20P

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$34.80
10+
$32.19
30+
$29.58
100+
$27.492
250+
$25.23
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IXFN210N20P
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    IXYS / Littelfuse
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    IXFN210N20P.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    SOT-227B
  • Σειρά
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 105A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    1070W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Chassis Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    24 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    18600pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    255nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    200V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 200V 188A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    188A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το IXFN210N20P.
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN23N100

IXFN23N100

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

Περιγραφή: FET N-CHANNEL

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN220N20X3

IXFN220N20X3

Περιγραφή: 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN200N07

IXFN200N07

Περιγραφή: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN180N15P

IXFN180N15P

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN24N100

IXFN24N100

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

Περιγραφή: MOSFET N-CH

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN180N10

IXFN180N10

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN230N10

IXFN230N10

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN200N10P

IXFN200N10P

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN20N120

IXFN20N120

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN180N20

IXFN180N20

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN180N07

IXFN180N07

Περιγραφή: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IXFN20N120P

IXFN20N120P

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.