Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB032N10N5ATMA1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
6394842

IPB032N10N5ATMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1000+
$3.334
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPB032N10N5ATMA1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    IPB032N10N5ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.8V @ 125µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    PG-TO263-7
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 83A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    187W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Αλλα ονόματα
    SP001607808
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    6970pF @ 50V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    100V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 100V 166A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    166A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το IPB032N10N5ATMA1.
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: Infineon Technologies
Σε απόθεμα
RFQ
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.