Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB039N10N3GATMA1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
207237IPB039N10N3GATMA1 ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB039N10N3GATMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$3.30
10+
$2.985
100+
$2.399
500+
$1.866
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPB039N10N3GATMA1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 160µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    PG-TO263-7
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    214W (Tc)
  • Συσκευασία
    Original-Reel®
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • Αλλα ονόματα
    IPB039N10N3 GDKR
    IPB039N10N3 GDKR-ND
    IPB039N10N3GATMA1DKR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    8410pF @ 50V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    117nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    100V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: Infineon Technologies
Σε απόθεμα
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο