International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB083N10N3GATMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

1000+

$0.776

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

IPB083N10N3GATMA1
Κατασκευαστής / Μάρκα

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

IPB083N10N3GATMA1.pdf
Μοντέλο ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 75µA
Vgs (Max)

±20V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

D²PAK (TO-263AB)
Σειρά

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 73A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

125W (Tc)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Αλλα ονόματα

IPB083N10N3 G
IPB083N10N3 G-ND
IPB083N10N3 GTR-ND
IPB083N10N3G
IPB083N10N3GATMA1TR
SP000458812
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

3980pF @ 50V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

55nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

100V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Έχουμε δημιουργήσει μακροπρόθεσμες συνεργασίες με μεγάλους παγκόσμιους παρόχους εφοδιαστικής, προσφέροντας ευέλικτες και αποδοτικές λύσεις αποστολής προσαρμοσμένες στις μοναδικές σας ανάγκες.Ανάλογα με το μέγεθος, το βάρος και τον προορισμό της παραγγελίας σας, επιλέγουμε τον καταλληλότερο μεταφορέα αποστολής.Παρέχουμε επίσης υπηρεσίες παρακολούθησης logistics σε πραγματικό χρόνο, επιτρέποντας στους πελάτες να κατανοούν την τοποθεσία και την κατάσταση των αγαθών τους ανά πάσα στιγμή. Εάν έχετε συγκεκριμένες διεθνείς διαδρομές αποστολής ή έναν καθορισμένο φορτίο, παρακαλούμε επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεων-είμαστε στην ευχάριστη θέση να φιλοξενήσουμε τις απαιτήσεις σας.

Υποστηρίζουμε πολλαπλές μεθόδους πληρωμής, συμπεριλαμβανομένων των πιστωτικών καρτών, των μεταφορών καλωδίων και άλλων επιλογών, και αποδέχονται τα περισσότερα νομίσματα.Για παραγγελίες που τοποθετούνται σε USD, είναι διαθέσιμες πρόσθετες επιλογές πληρωμής.Για περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με τις μεθόδους και τις διαδικασίες πληρωμής, επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεων.

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το IPB083N10N3GATMA1.

IPB073N15N5ATMA1

Περιγραφή: MV POWER MOS

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB083N10N3GATMA1

Αίτημα παράθεσης

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα