Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB08CN10N G
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
5177735IPB08CN10N G ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB08CN10N G

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPB08CN10N G
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 130µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    D²PAK (TO-263AB)
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.2 mOhm @ 95A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    167W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Αλλα ονόματα
    IPB08CN10N G-ND
    IPB08CN10NG
    SP000096448
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    6660pF @ 50V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    100V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 100V 95A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    95A (Tc)
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB09N03LA

IPB09N03LA

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Περιγραφή: MV POWER MOS

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο