Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB12CN10N G

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

4031510

IPB12CN10N G Εικόνα

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB12CN10N G

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

IPB12CN10N G
Κατασκευαστής / Μάρκα

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

IPB12CN10N G.pdf
Μοντέλο ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

D²PAK (TO-263AB)
Σειρά

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 67A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

125W (Tc)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Αλλα ονόματα

IPB12CN10N G-ND
IPB12CN10NG
SP000096450
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

4320pF @ 50V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

65nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

100V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το IPB12CN10N G.

IPB14N03LA

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB13N03LB G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB14N03LA G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB13N03LB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB136N08N3 G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB14N03LAT

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB12CNE8N G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Νέα Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.