Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IPB144N12N3GATMA1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4304281IPB144N12N3GATMA1 ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB144N12N3GATMA1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$2.00
10+
$1.806
100+
$1.451
500+
$1.129
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IPB144N12N3GATMA1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 61µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    D²PAK (TO-263AB)
  • Σειρά
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 56A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    107W (Tc)
  • Συσκευασία
    Original-Reel®
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Αλλα ονόματα
    IPB144N12N3 GDKR
    IPB144N12N3 GDKR-ND
    IPB144N12N3GATMA1DKR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    3220pF @ 60V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    49nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    120V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    56A (Ta)
IPB13N03LB

IPB13N03LB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 220V TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB160N04S203ATMA1

IPB160N04S203ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB13N03LB G

IPB13N03LB G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

Περιγραφή: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB12CN10N G

IPB12CN10N G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO262-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο