Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - συστοιχίες, προ-προκ > IMB4AT110
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4193936IMB4AT110 ΕικόναLAPIS Semiconductor

IMB4AT110

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    IMB4AT110
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    LAPIS Technology
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    IMB4AT110.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max)
    50V
  • VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • transistor Τύπος
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    SMT6
  • Σειρά
    -
  • Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2)
    -
  • Αντίσταση - Βάση (R1)
    10 kOhms
  • Ισχύς - Max
    300mW
  • Συσκευασία
    Cut Tape (CT)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    SC-74, SOT-457
  • Αλλα ονόματα
    IMB4AT110CT
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Συχνότητα - Μετάβαση
    250MHz
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max)
    -
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max)
    100mA
  • Αριθμός μέρους βάσης
    MB4

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το IMB4AT110.
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
IMB36654M12

IMB36654M12

Περιγραφή: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
IMB5AT108

IMB5AT108

Περιγραφή: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
IMB36654C

IMB36654C

Περιγραφή: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
IMB36656M8

IMB36656M8

Περιγραφή: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
IMB36656C

IMB36656C

Περιγραφή: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
IMB3AT110

IMB3AT110

Περιγραφή: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
IMB36652C

IMB36652C

Περιγραφή: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
IMB36656M12

IMB36656M12

Περιγραφή: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
IMB36654M8

IMB36654M8

Περιγραφή: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
IMB36652M8

IMB36652M8

Περιγραφή: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
IMB9AT110

IMB9AT110

Περιγραφή: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
IMB7AT108

IMB7AT108

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
IMB36652M12

IMB36652M12

Περιγραφή: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.