Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > R5013ANXFU6
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3713948R5013ANXFU6 ΕικόναLAPIS Semiconductor

R5013ANXFU6

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$4.19
10+
$3.738
100+
$3.065
500+
$2.482
1000+
$2.093
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    R5013ANXFU6
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    LAPIS Technology
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    R5013ANXFU6.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-220FM
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    50W (Tc)
  • Συσκευασία
    Bulk
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-220-3 Full Pack
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    500V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 500V 13A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το R5013ANXFU6.
R5011410XXWA

R5011410XXWA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO205

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R5011415XXZT

R5011415XXZT

Περιγραφή: RECTIFIER 1400V 150A DO-8 REV

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R5011610XXWA

R5011610XXWA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R5011FNX

R5011FNX

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R5011415XXWA

R5011415XXWA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO205

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R5020218FSWA

R5020218FSWA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R5011ANJTL

R5011ANJTL

Περιγραφή: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R5011615XXWA

R5011615XXWA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R5020213LSWA

R5020213LSWA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R5016FNJTL

R5016FNJTL

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 16A LPT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R5020413LSWA

R5020413LSWA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R5011ANX

R5011ANX

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R5019ANJTL

R5019ANJTL

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R5020210RSWA

R5020210RSWA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R5016ANJTL

R5016ANJTL

Περιγραφή: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R5016FNX

R5016FNX

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R5013ANJTL

R5013ANJTL

Περιγραφή: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R5016ANX

R5016ANX

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R5020410RSWA

R5020410RSWA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R5011FNJTL

R5011FNJTL

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.