Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > R6030ENZ1C9

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

1707083

R6030ENZ1C9 Εικόνα

LAPIS Semiconductor

R6030ENZ1C9

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

1+

$6.47

10+

$5.779

100+

$4.739

500+

$3.837

1000+

$3.236

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

R6030ENZ1C9
Κατασκευαστής / Μάρκα

LAPIS Technology
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

R6030ENZ1C9.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

TO-247
Σειρά

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 14.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

120W (Tc)
Συσκευασία

Tube
Συσκευασία / υπόθεση

TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time

17 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

85nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

600V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το R6030ENZ1C9.

R6031025HSYA

R6031025HSYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6031022PSYA

R6031022PSYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6030822PSYA

R6030822PSYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6030KNX

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor

Σε απόθεμα

R6030835ESYA

R6030835ESYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6030825HSYA

R6030825HSYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6030ENX

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor

Σε απόθεμα

R6030422PSYA

R6030422PSYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6030KNXC7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor

Σε απόθεμα

R6030KNZC8

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor

Σε απόθεμα

R6030635ESYA

R6030635ESYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6031222PSYA

R6031222PSYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6030625HSYA

R6030625HSYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6030ENZC8

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor

Σε απόθεμα

R6030MNX

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor

Σε απόθεμα

R6031035ESYA

R6031035ESYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6030KNZ1C9

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor

Σε απόθεμα

R6030622PSYA

R6030622PSYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6030435ESYA

R6030435ESYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

R6030425HSYA

R6030425HSYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.