Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > R6046ANZ1C9
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
1642857R6046ANZ1C9 ΕικόναLAPIS Semiconductor

R6046ANZ1C9

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$19.02
10+
$17.292
100+
$14.698
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    R6046ANZ1C9
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    LAPIS Technology
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 600V 46A TO247
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    R6046ANZ1C9.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-247
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 23A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    120W (Tc)
  • Συσκευασία
    Bulk
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-247-3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    6000pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    600V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 600V 46A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    46A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το R6046ANZ1C9.
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R60400-1CR

R60400-1CR

Περιγραφή: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
R605001 010S1

R605001 010S1

Περιγραφή: IND RUGG CORDSET C6A SO FTP

Κατασκευαστές: Belden
Σε απόθεμα
RFQ
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R605003 010S1

R605003 010S1

Περιγραφή: IND RUGG CORDSET C6A SO FTP

Κατασκευαστές: Belden
Σε απόθεμα
RFQ
R60400-3CR

R60400-3CR

Περιγραφή: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
R6046FNZC8

R6046FNZC8

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R60600-1CR

R60600-1CR

Περιγραφή: FUSE BLOK CART 600V 600A CHASSIS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
R605005 010S1

R605005 010S1

Περιγραφή: IND RUGG CORDSET C6A SO FTP

Κατασκευαστές: Belden
Σε απόθεμα
RFQ
R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R6046ANZC8

R6046ANZC8

Περιγραφή: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R60400-1STRM

R60400-1STRM

Περιγραφή: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
R605002 010S1

R605002 010S1

Περιγραφή: IND RUGG CORDSET C6A SO FTP

Κατασκευαστές: Belden
Σε απόθεμα
RFQ
R60400-1STR

R60400-1STR

Περιγραφή: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Κατασκευαστές: Powerex, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R6047ENZ1C9

R6047ENZ1C9

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 47A TO247

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R60600-1STR

R60600-1STR

Περιγραφή: FUSE BLOK CART 600V 600A CHASSIS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.