Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > R8002ANX
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3732988R8002ANX ΕικόναLAPIS Semiconductor

R8002ANX

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$2.85
10+
$2.576
100+
$2.07
500+
$1.61
1000+
$1.334
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    R8002ANX
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    LAPIS Technology
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    R8002ANX.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-220FM
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.3 Ohm @ 1A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    35W (Tc)
  • Συσκευασία
    Bulk
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-220-3 Full Pack
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    17 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    210pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    12.7nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    800V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 800V 2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το R8002ANX.
STF5N95K5

STF5N95K5

Περιγραφή: MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP

Κατασκευαστές: STMicroelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
PMV48XPVL

PMV48XPVL

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB

Κατασκευαστές: Nexperia
Σε απόθεμα
RFQ
R8005ANX

R8005ANX

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 5A TO220

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
AOTF20S60_900

AOTF20S60_900

Περιγραφή: MOSFET N-CH TO220

Κατασκευαστές: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
R80M

R80M

Περιγραφή: R80M, ROPE ONLY 80M

Κατασκευαστές: Omron Automation & Safety
Σε απόθεμα
RFQ
IRFBC40L

IRFBC40L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
IXTN79N20

IXTN79N20

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227

Κατασκευαστές: IXYS Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
IPP034N03LGXKSA1

IPP034N03LGXKSA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
R80080008

R80080008

Περιγραφή: BRUSHLESS MOTOR

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
R80080006

R80080006

Περιγραφή: BRUSHLESS MOTOR

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
SPP03N60S5HKSA1

SPP03N60S5HKSA1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
R8010ANX

R8010ANX

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
R8008ANX

R8008ANX

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
IRFZ48L

IRFZ48L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 50A TO-262

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
IPAW60R180P7SXKSA1

IPAW60R180P7SXKSA1

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
R80080009

R80080009

Περιγραφή: BRUSHLESS MOTOR

Κατασκευαστές: Crouzet
Σε απόθεμα
RFQ
APT5014SLLG

APT5014SLLG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
IPP100N06S3-03

IPP100N06S3-03

Περιγραφή: MOSFET N-CH 55V 100A TO-220

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.