Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > RFN5BGE3STL
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
2931995RFN5BGE3STL ΕικόναLAPIS Semiconductor

RFN5BGE3STL

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$0.87
10+
$0.757
100+
$0.584
500+
$0.433
1000+
$0.346
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    RFN5BGE3STL
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    LAPIS Technology
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    SUPER FAST RECOVERY DIODE
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    RFN5BGE3STL.pdf
  • Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
    1.5V @ 5A
  • Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
    350V
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-252GE
  • Ταχύτητα
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Σειρά
    -
  • Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
    30ns
  • Συσκευασία
    Cut Tape (CT)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Αλλα ονόματα
    RFN5BGE3STLCT
  • Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
    150°C (Max)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    10 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Τύπος
    Standard
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Diode Standard 350V 5A Surface Mount TO-252GE
  • Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
    10µA @ 350V
  • Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
    5A
  • Χωρητικότητα @ VR, F
    -

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

2024/11/23

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

2024/11/22

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

2024/11/15

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

2024/11/14

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

2024/11/13
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το RFN5BGE3STL.
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Περιγραφή: DIODE GEN PURPOSE CPD

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Περιγραφή: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Περιγραφή: DIODE GEN PURPOSE CPD

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Περιγραφή: DIODE GEN PURPOSE CPD

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Περιγραφή: DIODE GEN PURPOSE CPD

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN5BM6STL

RFN5BM6STL

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Περιγραφή: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN5BM6SFHTL

RFN5BM6SFHTL

Περιγραφή: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN6BM2DTL

RFN6BM2DTL

Περιγραφή: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFNL10TJ6SGC9

RFNL10TJ6SGC9

Περιγραφή: DIODE GP 600V 10A TO220ACFP

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN6BM2DFHTL

RFN6BM2DFHTL

Περιγραφή: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Περιγραφή: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN6B2DTL

RFN6B2DTL

Περιγραφή: DIODE GEN PURPOSE TO252

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Περιγραφή: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.