Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > RQ3E130MNTB1
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3962446

RQ3E130MNTB1

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$1.24
10+
$1.102
100+
$0.871
500+
$0.675
1000+
$0.533
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    RQ3E130MNTB1
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    LAPIS Technology
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    RQ3E130MNTB1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-HSMT (3.2x3)
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.1 mOhm @ 13A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    2W (Ta)
  • Συσκευασία
    Cut Tape (CT)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-PowerVDFN
  • Αλλα ονόματα
    RQ3E130MNTB1CT
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    840pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 30V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

2024/11/15

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

2024/11/14

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

2024/11/13
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το RQ3E130MNTB1.
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3L050GNTB

RQ3L050GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Περιγραφή: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.