Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs) > Μνήμη > EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

2246515

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Εικόνα

Micron Technology

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

1680+

$5.404

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Κατασκευαστής / Μάρκα

Micron Technology
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D.pdf
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page

-
Τάσης - Προμήθεια

1.14 V ~ 1.95 V
Τεχνολογία

SDRAM - Mobile LPDDR2
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

134-VFBGA (10x11.5)
Σειρά

-
Συσκευασία

Tray
Συσκευασία / υπόθεση

134-VFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας

-40°C ~ 105°C (TC)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

3 (168 Hours)
Τύπος μνήμης

Volatile
Μέγεθος μνήμης

512Mb (16M x 32)
Διασύνδεση μνήμης

Parallel
Μορφή μνήμης

DRAM
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Λεπτομερής περιγραφή

SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Συχνότητα ρολογιού

533MHz

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το EDB5432BEBH-1DAAT-F-D.

EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Περιγραφή: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Περιγραφή: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Περιγραφή: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Περιγραφή: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Περιγραφή: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

Περιγραφή: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Περιγραφή: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Περιγραφή: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Περιγραφή: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Περιγραφή: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Περιγραφή: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB4432BBPA-1D-F-D

EDB4432BBPA-1D-F-D

Περιγραφή: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Περιγραφή: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

Περιγραφή: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Περιγραφή: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Περιγραφή: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Περιγραφή: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Περιγραφή: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB5432BEPA-1DIT-F-R

EDB5432BEPA-1DIT-F-R

Περιγραφή: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Περιγραφή: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Κατασκευαστές: Micron Technology

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.