Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT11N80BC3G
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
5822088APT11N80BC3G ΕικόναMicrosemi

APT11N80BC3G

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$6.96
30+
$5.595
120+
$5.098
510+
$4.128
1020+
$3.481
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    APT11N80BC3G
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Microsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    APT11N80BC3G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 680µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-247 [B]
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 7.1A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    156W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-247-3
  • Αλλα ονόματα
    APT11N80BC3GMI
    APT11N80BC3GMI-ND
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    18 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1585pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    800V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

2024/11/15

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

2024/11/14

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

2024/11/13
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το APT11N80BC3G.
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Περιγραφή: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Περιγραφή: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Περιγραφή: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Κατασκευαστές: Microsemi Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT12057JLL

APT12057JLL

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Περιγραφή: IGBT 600V 41A 187W TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Περιγραφή: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT12067B2FLLG

APT12067B2FLLG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Κατασκευαστές: Microsemi Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Περιγραφή: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.