Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT26F120B2
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
5141427APT26F120B2 ΕικόναMicrosemi

APT26F120B2

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
30+
$26.282
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    APT26F120B2
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Microsemi
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    1.APT26F120B2.pdf
    2.APT26F120B2.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    T-MAX™
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 14A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    1135W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-247-3 Variant
  • Αλλα ονόματα
    APT26F120B2MI
    APT26F120B2MI-ND
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    21 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    9670pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    1200V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 1200V 27A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    27A (Tc)

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

2024/11/15

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

2024/11/14

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

2024/11/13
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το APT26F120B2.
APT28F60B

APT28F60B

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Περιγραφή: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Περιγραφή: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Περιγραφή: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Περιγραφή: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT25M100J

APT25M100J

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Περιγραφή: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT25GR120S

APT25GR120S

Περιγραφή: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Περιγραφή: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Περιγραφή: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Περιγραφή: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT28M120B2

APT28M120B2

Περιγραφή: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Περιγραφή: IGBT 900V 48A 223W TO247

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Περιγραφή: POWER MOSFET - SIC

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Περιγραφή: POWER MOSFET - SIC

Κατασκευαστές: Microsemi
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.