Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > 1N5406TA
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
32776591N5406TA ΕικόναSensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

1N5406TA

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
12500+
$0.051
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    1N5406TA
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    1N5406TA.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
    1.2V @ 3A
  • Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
    600V
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    DO-201AD
  • Ταχύτητα
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Σειρά
    -
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    DO-201AD, Axial
  • Αλλα ονόματα
    1N5406TASMC
  • Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
    -65°C ~ 175°C
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    6 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Τύπος
    Standard
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
    5µA @ 600V
  • Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
    3A
  • Χωρητικότητα @ VR, F
    30pF @ 0V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το 1N5406TA.
1N5407-B

1N5407-B

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
1N5406G-T

1N5406G-T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Comchip Technology
Σε απόθεμα
RFQ
1N5407G

1N5407G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N5407

1N5407

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Fairchild/ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N5406GHB0G

1N5406GHB0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
1N5406GHR0G

1N5406GHR0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
1N5406G A0G

1N5406G A0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
1N5407

1N5407

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N5406RLG

1N5406RLG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N5406T-G

1N5406T-G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Comchip Technology
Σε απόθεμα
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
1N5406GHA0G

1N5406GHA0G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
1N5406GP-E3/54

1N5406GP-E3/54

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
1N5406RL

1N5406RL

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.