Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > RS1DLHRVG
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3783508RS1DLHRVG ΕικόναTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLHRVG

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
21000+
$0.049
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    RS1DLHRVG
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Taiwan Semiconductor
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    RS1DLHRVG.pdf
  • Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
    1.3V @ 800mA
  • Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
    200V
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    Sub SMA
  • Ταχύτητα
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Σειρά
    Automotive, AEC-Q101
  • Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
    150ns
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    DO-219AB
  • Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
    -55°C ~ 150°C
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    21 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Τύπος
    Standard
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
    5µA @ 200V
  • Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
    800mA
  • Χωρητικότητα @ VR, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

2024/11/23

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

2024/11/22

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

2024/11/15

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

2024/11/14

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

2024/11/13
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το RS1DLHRVG.
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Κατασκευαστές: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Σε απόθεμα
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLHM2G

RS1DLHM2G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Κατασκευαστές: LAPIS Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.