Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > US1J R3G
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
1863444US1J R3G ΕικόναTSC (Taiwan Semiconductor)

US1J R3G

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$0.52
10+
$0.373
100+
$0.22
500+
$0.124
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    US1J R3G
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Taiwan Semiconductor
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    US1J R3G.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
    1.7V @ 1A
  • Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
    600V
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    DO-214AC (SMA)
  • Ταχύτητα
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Σειρά
    -
  • Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
    75ns
  • Συσκευασία
    Cut Tape (CT)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    DO-214AC, SMA
  • Αλλα ονόματα
    US1J R3GCT
    US1J R3GCT-ND
    US1JR3GCT
  • Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
    -55°C ~ 150°C
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    17 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Τύπος
    Standard
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
    5µA @ 600V
  • Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
    1A
  • Χωρητικότητα @ VR, F
    10pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το US1J R3G.
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1G/1

US1G/1

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1GHM2G

US1GHM2G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1GFA

US1GFA

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FA

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
US1GWF-7

US1GWF-7

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
US1J/1

US1J/1

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Vishay Semiconductor Diodes Division
Σε απόθεμα
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)
Σε απόθεμα
RFQ
US1J-13

US1J-13

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Περιγραφή: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.