Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICS) > Μνήμη > TC58CVG0S3HQAIE
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
2311097

TC58CVG0S3HQAIE

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    TC58CVG0S3HQAIE
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Kioxia America, Inc.
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    TC58CVG0S3HQAIE.pdf
  • Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page
    -
  • Τάσης - Προμήθεια
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Τεχνολογία
    FLASH - NAND (SLC)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    16-SOP
  • Σειρά
    -
  • Συσκευασία
    Tray
  • Συσκευασία / υπόθεση
    16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Αλλα ονόματα
    TC58CVG0S3HQAIEY0J
    TC58CVG0S3HQAIEYCJ
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Τύπος μνήμης
    Non-Volatile
  • Μέγεθος μνήμης
    1Gb (128M x 8)
  • Διασύνδεση μνήμης
    SPI - Quad I/O
  • Μορφή μνήμης
    FLASH
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Λεπτομερής περιγραφή
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 155µs 16-SOP
  • Συχνότητα ρολογιού
    104MHz
  • Χρόνος πρόσβασης
    155µs

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το TC58CVG0S3HQAIE.
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Περιγραφή: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Περιγραφή: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Περιγραφή: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Περιγραφή: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Περιγραφή: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Περιγραφή: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Περιγραφή: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Περιγραφή: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Περιγραφή: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Περιγραφή: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Περιγραφή: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Περιγραφή: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

Περιγραφή: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Περιγραφή: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Περιγραφή: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Περιγραφή: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Περιγραφή: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Περιγραφή: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58NVG0S3HBAI6

TC58NVG0S3HBAI6

Περιγραφή: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Περιγραφή: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Κατασκευαστές: Toshiba Memory America, Inc.
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.