Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - συστοιχίες, προ-προκ > RN2712JE(TE85L,F)

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

3392111

RN2712JE(TE85L,F) Εικόνα

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2712JE(TE85L,F)

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

4000+

$0.088

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

RN2712JE(TE85L,F)
Κατασκευαστής / Μάρκα

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

RN2712JE(TE85L,F).pdf
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max)

50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
transistor Τύπος

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

ESV
Σειρά

-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2)

-
Αντίσταση - Βάση (R1)

22 kOhms
Ισχύς - Max

100mW
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

SOT-553
Αλλα ονόματα

RN2712JE(TE85LF)TR
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση

200MHz
Λεπτομερής περιγραφή

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max)

100nA (ICBO)
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max)

100mA

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το RN2712JE(TE85L,F).

RN2903,LF(CT

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2902,LF(CT

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2901(T5L,F,T)

RN2901(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2902,LF

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2902(T5L,F,T)

RN2902(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2902FE,LF(CT

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2902FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2903,LF

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.