Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - συστοιχίες, προ-προκ > RN2911,LF

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

435428

RN2911,LF Εικόνα

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2911,LF

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

3000+

$0.051

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

RN2911,LF
Κατασκευαστής / Μάρκα

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

RN2911,LF.pdf
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max)

50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
transistor Τύπος

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

US6
Σειρά

-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2)

-
Αντίσταση - Βάση (R1)

10 kOhms
Ισχύς - Max

200mW
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Αλλα ονόματα

RN2911,LF(CB
RN2911,LF(CT
RN2911LF(CTTR
RN2911LF(CTTR-ND
RN2911LFTR
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση

200MHz
Λεπτομερής περιγραφή

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max)

100nA (ICBO)
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max)

100mA

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το RN2911,LF.

RN2964FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2963FE(TE85L,F)

RN2963FE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2911(T5L,F,T)

RN2911(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2906FE(TE85L,F)

RN2906FE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2965(TE85L,F)

RN2965(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2963(TE85L,F)

RN2963(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2961(TE85L,F)

RN2961(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2964(TE85L,F)

RN2964(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2907(T5L,F,T)

RN2907(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2910FE,LF(CB

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2907FE,LF(CB

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2961FE(TE85L,F)

RN2961FE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2910(T5L,F,T)

RN2910(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2909(T5L,F,T)

RN2909(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2908(T5L,F,T)

RN2908(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2962(TE85L,F)

RN2962(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2962FE(TE85L,F)

RN2962FE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2911FE(TE85L,F)

RN2911FE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2908FE(TE85L,F)

RN2908FE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F)

Περιγραφή: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.