Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TPHR6503PL,L1Q
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
5608510TPHR6503PL,L1Q ΕικόναToshiba Semiconductor and Storage

TPHR6503PL,L1Q

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
5000+
$0.852
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    TPHR6503PL,L1Q
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    TPHR6503PL,L1Q.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-SOP Advance (5x5)
  • Σειρά
    U-MOSIX-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.65 mOhm @ 50A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    960mW (Ta), 170W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-PowerVDFN
  • Αλλα ονόματα
    TPHR6503PL,L1Q(M
    TPHR6503PLL1QTR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    175°C
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    10000pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 30V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    150A (Tc)

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

2024/11/23

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

2024/11/22

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

2024/11/15

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

2024/11/14

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

2024/11/13
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το TPHR6503PL,L1Q.
TPH8R903NL,LQ

TPH8R903NL,LQ

Περιγραφή: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS800-EL

TPHCS800-EL

Περιγραφή: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPH8R80ANH,L1Q

TPH8R80ANH,L1Q

Περιγραφή: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS250-EL

TPHCS250-EL

Περιγραφή: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS800-M

TPHCS800-M

Περιγραφή: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHR9003NL,L1Q

TPHR9003NL,L1Q

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
TPHR8504PL,L1Q

TPHR8504PL,L1Q

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS250-M

TPHCS250-M

Περιγραφή: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS-B-E

TPHCS-B-E

Περιγραφή: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS250-ML

TPHCS250-ML

Περιγραφή: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS-B-ML

TPHCS-B-ML

Περιγραφή: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS250-E

TPHCS250-E

Περιγραφή: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS-B-EL

TPHCS-B-EL

Περιγραφή: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS250-P

TPHCS250-P

Περιγραφή: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS-B-M

TPHCS-B-M

Περιγραφή: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPH8R008NH,L1Q

TPH8R008NH,L1Q

Περιγραφή: MOSFET N CH 80V 34A SOP

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS800-ML

TPHCS800-ML

Περιγραφή: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS800-P

TPHCS800-P

Περιγραφή: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
TPHR9203PL,L1Q

TPHR9203PL,L1Q

Περιγραφή: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
TPHCS800-E

TPHCS800-E

Περιγραφή: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Κατασκευαστές: Bussmann (Eaton)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.