Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICS) > Μνήμη > W9412G6IH-5
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4505140W9412G6IH-5 ΕικόναWinbond Electronics Corporation

W9412G6IH-5

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    W9412G6IH-5
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Winbond Electronics Corporation
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    W9412G6IH-5.pdf
  • Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page
    15ns
  • Τάσης - Προμήθεια
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Τεχνολογία
    SDRAM - DDR
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    66-TSOP II
  • Σειρά
    -
  • Συσκευασία
    Tray
  • Συσκευασία / υπόθεση
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    0°C ~ 70°C (TA)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Τύπος μνήμης
    Volatile
  • Μέγεθος μνήμης
    128Mb (8M x 16)
  • Διασύνδεση μνήμης
    Parallel
  • Μορφή μνήμης
    DRAM
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Λεπτομερής περιγραφή
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II
  • Συχνότητα ρολογιού
    200MHz
  • Χρόνος πρόσβασης
    50ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το W9412G6IH-5.
W9412G6JH-5I

W9412G6JH-5I

Περιγραφή: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR

Περιγραφή: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9425G6JB-5I TR

W9425G6JB-5I TR

Περιγραφή: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W94-X113-30

W94-X113-30

Περιγραφή: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 277VAC

Κατασκευαστές: Agastat Relays / TE Connectivity
Σε απόθεμα
RFQ
W9425G6KH-4

W9425G6KH-4

Περιγραφή: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9412G6KH-4

W9412G6KH-4

Περιγραφή: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9425G6KH-5 TR

W9425G6KH-5 TR

Περιγραφή: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I

Περιγραφή: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9412G6KH-5

W9412G6KH-5

Περιγραφή: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9425G6JB-5

W9425G6JB-5

Περιγραφή: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9412G6JH-4

W9412G6JH-4

Περιγραφή: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W94-X112-30V

W94-X112-30V

Περιγραφή: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 415VAC

Κατασκευαστές: Agastat Relays / TE Connectivity
Σε απόθεμα
RFQ
W9412G6KH-4 TR

W9412G6KH-4 TR

Περιγραφή: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9412G6KH-5I

W9412G6KH-5I

Περιγραφή: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9412G6KH-5 TR

W9412G6KH-5 TR

Περιγραφή: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9412G6KH-5I TR

W9412G6KH-5I TR

Περιγραφή: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9425G6JB-5I

W9425G6JB-5I

Περιγραφή: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W9425G6KH-5

W9425G6KH-5

Περιγραφή: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
W94-X112-20

W94-X112-20

Περιγραφή: CIR BRKR

Κατασκευαστές: Agastat Relays / TE Connectivity
Σε απόθεμα
RFQ
W9425G6EH-5

W9425G6EH-5

Περιγραφή: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Κατασκευαστές: Winbond Electronics Corporation
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.