Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > RS1JHE3_A/I
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
1056070RS1JHE3_A/I ΕικόναElectro-Films (EFI) / Vishay

RS1JHE3_A/I

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$0.50
10+
$0.374
100+
$0.233
500+
$0.159
1000+
$0.123
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    RS1JHE3_A/I
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    RS1JHE3_A/I.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
    1.3V @ 1A
  • Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
    600V
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    DO-214AC (SMA)
  • Ταχύτητα
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Σειρά
    Automotive, AEC-Q101
  • Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
    250ns
  • Συσκευασία
    Cut Tape (CT)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    DO-214AC, SMA
  • Αλλα ονόματα
    RS1JHE3_A/IGICT
  • Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
    -55°C ~ 150°C
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Τύπος
    Standard
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
    5µA @ 600V
  • Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
    1A
  • Χωρητικότητα @ VR, F
    7pF @ 4V, 1MHz
  • Αριθμός μέρους βάσης
    RS1J

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το RS1JHE3_A/I.
RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

Περιγραφή: DIODE, FAST, 1A, 600V

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JFS MWG

RS1JFS MWG

Περιγραφή: DIODE

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JFSHMXG

RS1JFSHMXG

Περιγραφή: DIODE, FAST, 1A, 600V

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JFP

RS1JFP

Περιγραφή: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

Περιγραφή: DIODE

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JFA

RS1JFA

Περιγραφή: DIODE GP 600V 800MA SOD123FA

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL R3G

RS1JL R3G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL RFG

RS1JL RFG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL RHG

RS1JL RHG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JDFQ-13

RS1JDFQ-13

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Κατασκευαστές: Diodes Incorporated
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.