Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > RS1JL R3G
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4247069RS1JL R3G ΕικόναTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JL R3G

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$0.43
10+
$0.392
100+
$0.22
500+
$0.118
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    RS1JL R3G
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Taiwan Semiconductor
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    RS1JL R3G.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
    1.3V @ 800mA
  • Τάσης - DC Reverse (VR) (Max)
    600V
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    Sub SMA
  • Ταχύτητα
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Σειρά
    -
  • Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
    250ns
  • Συσκευασία
    Cut Tape (CT)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    DO-219AB
  • Αλλα ονόματα
    RS1JL R3GCT
    RS1JL R3GCT-ND
    RS1JLR3GCT
  • Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
    -55°C ~ 150°C
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    25 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Τύπος
    Standard
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
    5µA @ 600V
  • Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
    800mA
  • Χωρητικότητα @ VR, F
    10pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το RS1JL R3G.
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL RTG

RS1JL RTG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JLHM2G

RS1JLHM2G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL RVG

RS1JL RVG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL RHG

RS1JL RHG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JLHMTG

RS1JLHMTG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JLHMQG

RS1JLHMQG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JLHMHG

RS1JLHMHG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL RUG

RS1JL RUG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
RS1JL RFG

RS1JL RFG

Περιγραφή: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Κατασκευαστές: TSC (Taiwan Semiconductor)
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.