SI2315BDS-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

$0.81

10+

$0.705

100+

$0.544

500+

$0.403

1000+

$0.322

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI2315BDS-T1-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI2315BDS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)

750mW (Ta)
Συσκευασία

Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Αλλα ονόματα

SI2315BDS-T1-GE3CT
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time

33 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

15nC @ 4.5V
FET Τύπος

P-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

12V
Λεπτομερής περιγραφή

P-Channel 12V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI2315BDS-T1-GE3.

SI2316DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2316BDS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2310-TP

Περιγραφή: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)

Σε απόθεμα

RFQ

SI2314EDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2312CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2311DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2319CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2315BDS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2318DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2316DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2312-TP

Περιγραφή: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)

Σε απόθεμα

RFQ

SI2318CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2314EDS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2311DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2312BDS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2319DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2312BDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2318DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2316BDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2319DDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 40V

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SI2315BDS-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

SI2316DS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

SI2310-TP

SI2314EDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

SI2311DS-T1-E3

SI2319CDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

SI2316DS-T1-GE3

SI2312-TP

SI2318CDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-E3

SI2311DS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

SI2312BDS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα