SI2319DS-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

3000+

$0.317

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI2319DS-T1-E3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI2319DS-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

SOT-23-3 (TO-236)
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

82 mOhm @ 3A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

750mW (Ta)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Αλλα ονόματα

SI2319DS-T1-E3TR
SI2319DST1E3
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time

33 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 20V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

17nC @ 10V
FET Τύπος

P-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

40V
Λεπτομερής περιγραφή

P-Channel 40V 2.3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI2319DS-T1-E3.

SI2316DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2323DS-T1

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2318DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2323DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2319DDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 40V

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2316DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2318CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2321DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2324DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2321DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2323DDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2319DS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2319CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2315BDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2316BDS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2318DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2321-TP

Περιγραφή: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Κατασκευαστές: Micro Commercial Components (MCC)

Σε απόθεμα

RFQ

SI2323DS-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2323CDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI2316BDS-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SI2319DS-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

SI2316DS-T1-GE3

SI2323DS-T1

SI2318DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

SI2316DS-T1-E3

SI2318CDS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-E3

SI2323DDS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

SI2321-TP

SI2323DS-T1-E3

SI2323CDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα