Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI4435DDY-T1-GE3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
6913627

SI4435DDY-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$0.88
10+
$0.774
100+
$0.597
500+
$0.442
1000+
$0.354
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI4435DDY-T1-GE3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-SO
  • Σειρά
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 9.1A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Συσκευασία
    Original-Reel®
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Αλλα ονόματα
    SI4435DDY-T1-GE3DKR
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατασκευαστής Standard Lead Time
    27 Weeks
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET Τύπος
    P-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    P-Channel 30V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    11.4A (Tc)
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SI4435DY

SI4435DY

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
SI4435DY

SI4435DY

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Περιγραφή: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο