Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI4435DYPBF
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4927344SI4435DYPBF ΕικόναInternational Rectifier (Infineon Technologies)

SI4435DYPBF

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα
1+
$0.93
10+
$0.822
100+
$0.63
500+
$0.498
1000+
$0.398
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI4435DYPBF
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    SI4435DYPBF.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-SO
  • Σειρά
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    2.5W (Ta)
  • Συσκευασία
    Tube
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Αλλα ονόματα
    SP001569846
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    2320pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET Τύπος
    P-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    P-Channel 30V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4435DYPBF.
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Σε απόθεμα
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Περιγραφή: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.