SI4453DY-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI4453DY-T1-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI4453DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 600µA
Vgs (Max)

±8V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

8-SO
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 14A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)

1.5W (Ta)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

165nC @ 5V
FET Τύπος

P-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

12V
Λεπτομερής περιγραφή

P-Channel 12V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4453DY-T1-GE3.

SI4456DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4446DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4455DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4451DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4446DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4455-C2A-GM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4447DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4448DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4447ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4455-B1A-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4459ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4459BDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4448DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4455-C2A-GMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4451DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4456DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4455DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4447DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4455-B1A-FMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4453DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SI4453DY-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

SI4456DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-E3

SI4455DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

SI4455-C2A-GM

SI4447DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

SI4447ADY-T1-GE3

SI4455-B1A-FM

SI4459ADY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

SI4455-C2A-GMR

SI4451DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

SI4455DY-T1-E3

SI4447DY-T1-GE3

SI4455-B1A-FMR

SI4453DY-T1-E3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα