SI4446DY-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SI4446DY-T1-E3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SI4446DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

8-SO
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 5.2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

1.1W (Ta)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Αλλα ονόματα

SI4446DY-T1-E3TR
SI4446DYT1E3
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 20V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

12nC @ 4.5V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

40V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 40V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SO
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

3.9A (Ta)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4446DY-T1-E3.

SI4446DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4438DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4436DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4438-B1C-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4436DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4438-C2A-GMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4447ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4453DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4447DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4448DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4447DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4438-C2A-GM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4442DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4451DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4448DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4442DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4438-B1C-FMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)

Σε απόθεμα

RFQ

SI4438DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4451DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SI4453DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SI4446DY-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

SI4446DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-E3

SI4438-B1C-FM

SI4436DY-T1-GE3

SI4438-C2A-GMR

SI4447ADY-T1-GE3

SI4453DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

SI4448DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

SI4438-C2A-GM

SI4442DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

SI4438-B1C-FMR

SI4438DY-T1-E3

SI4451DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα