Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIB404DK-T1-GE3

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

6362694

SIB404DK-T1-GE3 Εικόνα

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB404DK-T1-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

3000+

$0.241

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SIB404DK-T1-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SIB404DK-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

PowerPAK® SC-75-6L Single
Σειρά

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 3A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)

2.5W (Ta), 13W (Tc)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

PowerPAK® SC-75-6L
Αλλα ονόματα

SIB404DK-T1-GE3-ND
SIB404DK-T1-GE3TR
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

15nC @ 4.5V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

12V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 12V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SIB404DK-T1-GE3.

SIB-129-02-F-S-LC

SIB-129-02-F-S-LC

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SIB-127-02-F-S

SIB-127-02-F-S

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

SIB-126-02-F-S

SIB-126-02-F-S

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

SIB-128-02-F-S-LC

SIB-128-02-F-S-LC

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SIB-129-02-F-S

SIB-129-02-F-S

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

SIB-130-02-F-S

SIB-130-02-F-S

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SIB-126-02-F-S-LC

SIB-126-02-F-S-LC

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SIB-128-02-F-S

SIB-128-02-F-S

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SIB-127-02-F-S-LC

SIB-127-02-F-S-LC

Περιγραφή: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Κατασκευαστές: Samtec, Inc.

Σε απόθεμα

SIB412DK-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

SIB411DK-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.