SIHB6N65E-GE3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

1000+

$1.034

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SIHB6N65E-GE3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SIHB6N65E-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

D²PAK (TO-263)
Σειρά

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 3A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

78W (Tc)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Αλλα ονόματα

SIHB6N65E-GE3-ND
SIHB6N65E-GE3TR
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 100V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

48nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

650V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SIHB6N65E-GE3.

SIHD4N80E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB35N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB30N60E-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB33N60ET5-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD14N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB33N60EF-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB33N60ET1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD240N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB28N60EF-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD2N80E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD3N50D-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB30N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD12N50E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD3N50D-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD5N50D-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Κατασκευαστές: Vishay Siliconix

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB30N60AEL-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB33N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB25N50E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB8N50D-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD5N50D-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SIHB6N65E-GE3

Αίτημα παράθεσης

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

SIHD4N80E-GE3

SIHB35N60E-GE3

SIHB30N60E-E3

SIHB33N60ET5-GE3

SIHD14N60E-GE3

SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

SIHD240N60E-GE3

SIHB28N60EF-GE3

SIHD2N80E-GE3

SIHD3N50D-E3

SIHB30N60E-GE3

SIHD12N50E-GE3

SIHD3N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

SIHB33N60E-GE3

SIHB25N50E-GE3

SIHB8N50D-GE3

SIHD5N50D-E3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα