SIHD5N50D-E3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

3000+

$0.577

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

SIHD5N50D-E3
Κατασκευαστής / Μάρκα

Electro-Films (EFI) / Vishay
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

SIHD5N50D-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

D-PAK (TO-252AA)
Σειρά

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

104W (Tc)
Συσκευασία

Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time

13 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 100V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

20nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

500V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

5.3A (Tc)

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SIHD5N50D-E3.

SIHD6N65E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD6N65ET5-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD5N50D-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD12N50E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB8N50D-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB35N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD6N62ET1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD6N62E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD6N80E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD14N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHB6N65E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD3N50D-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD6N65ET4-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD240N60E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD6N62E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Κατασκευαστές: Vishay Siliconix

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD5N50D-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Κατασκευαστές: Vishay Siliconix

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD2N80E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD3N50D-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD4N80E-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

SIHD6N65ET1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay

Σε απόθεμα

RFQ

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Προκαταβολή

SIHD5N50D-E3

Αίτημα παράθεσης

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

SIHD5N50D-GE3

SIHD12N50E-GE3

SIHB8N50D-GE3

SIHB35N60E-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62E-GE3

SIHD6N80E-GE3

SIHD14N60E-GE3

SIHB6N65E-GE3

SIHD3N50D-E3

SIHD6N65ET4-GE3

SIHD240N60E-GE3

SIHD6N62E-GE3

SIHD5N50D-GE3

SIHD2N80E-GE3

SIHD3N50D-GE3

SIHD4N80E-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα