Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > GP1M009A050HS
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
6003943GP1M009A050HS ΕικόναGlobal Power Technologies Group

GP1M009A050HS

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    GP1M009A050HS
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    SemiQ
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    GP1M009A050HS.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-220
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    850 mOhm @ 4.25A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    127W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-220-3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    1195pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    500V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 500V 8.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole TO-220
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    8.5A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το GP1M009A050HS.
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A070F

GP1M009A070F

Περιγραφή: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M010A080H

GP1M010A080H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.