GP1M009A090FH

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

GP1M009A090FH
Κατασκευαστής / Μάρκα

SemiQ
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

GP1M009A090FH.pdf
Μοντέλο ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

TO-220F
Σειρά

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)

48W (Tc)
Συσκευασία

Tube
Συσκευασία / υπόθεση

TO-220-3 Full Pack
Αλλα ονόματα

1560-1173-1
1560-1173-1-ND
1560-1173-5
Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος

Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds

2324pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs

65nC @ 10V
FET Τύπος

N-Channel
FET Χαρακτηριστικό

-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)

10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)

900V
Λεπτομερής περιγραφή

N-Channel 900V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Έχουμε δημιουργήσει μακροπρόθεσμες συνεργασίες με μεγάλους παγκόσμιους παρόχους εφοδιαστικής, προσφέροντας ευέλικτες και αποδοτικές λύσεις αποστολής προσαρμοσμένες στις μοναδικές σας ανάγκες.Ανάλογα με το μέγεθος, το βάρος και τον προορισμό της παραγγελίας σας, επιλέγουμε τον καταλληλότερο μεταφορέα αποστολής.Παρέχουμε επίσης υπηρεσίες παρακολούθησης logistics σε πραγματικό χρόνο, επιτρέποντας στους πελάτες να κατανοούν την τοποθεσία και την κατάσταση των αγαθών τους ανά πάσα στιγμή. Εάν έχετε συγκεκριμένες διεθνείς διαδρομές αποστολής ή έναν καθορισμένο φορτίο, παρακαλούμε επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεων-είμαστε στην ευχάριστη θέση να φιλοξενήσουμε τις απαιτήσεις σας.

Υποστηρίζουμε πολλαπλές μεθόδους πληρωμής, συμπεριλαμβανομένων των πιστωτικών καρτών, των μεταφορών καλωδίων και άλλων επιλογών, και αποδέχονται τα περισσότερα νομίσματα.Για παραγγελίες που τοποθετούνται σε USD, είναι διαθέσιμες πρόσθετες επιλογές πληρωμής.Για περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με τις μεθόδους και τις διαδικασίες πληρωμής, επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεων.

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το GP1M009A090FH.

GP1M009A060H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group

Σε απόθεμα

GP1M009A090FH

Αίτημα παράθεσης

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

Ο Διευθύνων Σύμβουλος της IBM προ...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Η Samsung Electro Mechanics αναβαθμίζει την ...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Global Semiconductor Tariff Surge: Μετατοπίσ...

Η SK Hynix σχεδιάζει να επενδύσει σε...

Το Υπουργείο Εμπορίου των ΗΠΑ θα...

Expo Electronica 2025: Russia’s Premier Electronics Show H...

Το TSMC σχεδιάζει να παράγει μαζικ...

Chip Origin Reclassification: A New Battleground in the Glo...

Το DeepX θα ξεκινήσει ένα 5W Edge AI Chip D...

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα