Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > GP1M010A080N
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3152786GP1M010A080N ΕικόναGlobal Power Technologies Group

GP1M010A080N

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    GP1M010A080N
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    SemiQ
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    GP1M010A080N.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-3PN
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.05 Ohm @ 5A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    312W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    2336pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    900V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 900V 10A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το GP1M010A080N.
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M015A050FH

GP1M015A050FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A070F

GP1M009A070F

Περιγραφή: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M011A050FH

GP1M011A050FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M011A050H

GP1M011A050H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M011A050HS

GP1M011A050HS

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M013A050H

GP1M013A050H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M013A050FH

GP1M013A050FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M010A080H

GP1M010A080H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M015A050H

GP1M015A050H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M012A060FH

GP1M012A060FH

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Περιγραφή: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.